[发明专利]画素结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410006472.4 申请日: 2004-03-08
公开(公告)号: CN1560687A 公开(公告)日: 2005-01-05
发明(设计)人: 杨健生 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/136 分类号: G02F1/136;G02F1/133
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是关于一种画素结构及其制造方法。该画素结构适于配置在一基板上,该画素结构主要是由一扫瞄配线、一资料配线、一主动组件、多个透明电容电极以及一画素电极所构成。该画素结构的制造方法主要是在基板上先形成主动组件、扫瞄配线与资料配线,而主动组件是电性连接至扫瞄配线与资料配线。此外,在基板上形成多个透明电容电极。最后,在透明电容电极上形成画素电极,且电性连接至主动组件。其中,画素电极与透明电容电极是电性耦合为多层结构的一画素储存电容。由于画素储存电容系的材质为透明材质,且具有多层结构,因此可以增加电容量,并可提高画素结构的开口率。
搜索关键词: 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种画素结构,适于配置在一基板上,其特征在于该画素结构至少包括:一扫瞄配线,配置于该基板上;一数据配线,配置于该基板上;一主动组件,邻近配置于该扫瞄配线与数据配线交会处的该基板上,且该主动组件是电性连接至该扫瞄配线与该资料配线;多数个透明电容电极,配置于该基板上;以及一画素电极,配置于该些透明电容电极上且电性连接至该主动组件,其中该画素电极与该些透明电容电极是电性耦合为多层结构的一画素储存电容。
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