[发明专利]硅光电器件和使用该器件的光信号输入和/或输出装置无效
| 申请号： | 200410006620.2 | 申请日： | 2004-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1525572A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 金俊永;崔秉龙;李银京 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/15;H01L31/00;H04B10/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种硅光电器件和一种光信号输入和/或输出装置。该硅光电器件包括：n或p型硅基衬底；掺杂区，在所述衬底的表面内掺杂成衬底的相反型而形成，并且光线的发射和接收发生于该掺杂区中；和光线发射器件部分和光线接收器件部分，它们共同使用所述掺杂区，并且形成在形成有掺杂区的同一衬底表面上。该硅光电器件具有一个执行放大功能的内建电路，能够选择性地进行光线的发射和接收，并且能够容易地控制光线的发射和接收持续时间。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 器件 使用 信号 输入 输出 装置 | ||
【主权项】：
1、一种硅光电器件，包括：n或p型硅基衬底；掺杂区，在所述衬底的表面内掺杂成衬底的相反型而形成，并且光线的发射和接收发生于该掺杂区中；和光线发射器件部分和光线接收器件部分，它们共同使用所述掺杂区，并且形成在形成有掺杂区的同一衬底表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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