[发明专利]光接收装置及其制造方法和包括该装置的光电集成电路无效
| 申请号： | 200410006630.6 | 申请日： | 2004-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1525573A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 金俊永;崔秉龙;李银京 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L31/00;H04B10/02;G11B7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种光接收装置及其制造方法，和包括该光接收装置的光电集成电路。该光接收装置包括：衬底；形成在衬底上的本征区；形成至本征区中较浅深度的第一区；和形成至本征区中较深深度且与第一区隔开的第二区，其中第一和第二区被掺杂有不同导电类型。该光接收装置可缩短具有低迁移率的空穴的渡越时间。因此，不会出现响应延迟，于是，可以实现高响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 接收 装置 及其 制造 方法 包括 光电 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种光接收装置，包括：一衬底；一本征区，形成在该衬底上；一第一区，形成至该本征区中较浅的深度；和一第二区，形成至该本征区中较深的深度且与该第一区形成距离，其中该第一和第二区掺杂有不同导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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