[发明专利]非易失性存储器的存储单元的过擦除保护有效
| 申请号： | 200410006760.X | 申请日： | 2004-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1574098A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 叶致锴;蔡文哲;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具最佳存储器擦除功能的非易失性存储器及相应的方法，特别是一种擦除非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括一源极、一栅极、一漏极、一沟道和一捕获层。根据本发明的一较佳实施例的方法总体上包括以下步骤：施加一非零栅极电压于该栅极、施加一非零源极电压于该源极、在每一擦除击发时施加一非零漏极电压于该漏极并且其中该漏极电压的幅值总体上高于该源极电压、在该非易失性存储中产生热空穴、注入该产生的热空穴于该漏结附近的捕获层中，以及相应地擦除该非易失性存储器。根据本发明另一实施例的擦除方法包括在每一擦除击发之后进行一验证步骤，以用于验证非易失性存储器的存储器擦除，以及如果该存储器擦除未被验证时则重复根据本发明的过程步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 存储 单元 擦除 保护 | ||
【主权项】：
1.一种擦除一非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括有一源极、一栅极、一漏极、一沟道及一电荷储存层，该方法包括以下步骤：(a)施加一非零栅极电压至该栅极；(b)施加一非零源极电压至该源极；(c)施加一非零漏极电压至该漏极，其中该漏极电压总体上高于该源极电压；(d)在该存储器中产生热空穴；(e)注入产生的热空穴至该电荷储存层之中；以及(f)擦除该存储器。
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