[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，备有包括直线部分而形成的门电极(2)，和在上述直线部分的延伸位置形成的伪电极(18)、止动绝缘膜(5)、侧壁绝缘膜(3)、层间绝缘膜，和从上方看时在上述直线部分平行延伸的直线形触点部(11)。但是，从上方看时的上述直线形触点部(11)的外形的长边，越过侧壁绝缘膜(3)而位于分别进入门电极(2)和伪电极(18)上侧领域的位置。从上方看时上述直线形触点部的内部出现的门电极(2)和伪电极(18)之间的间隙G，由侧壁绝缘膜(3)掩埋而不致露出半导体基板。

主权项

1.一种半导体装置，包括：表面有源领域和漏领域的半导体基板，含有在上述半导体基板的上侧隔开上述源领域和上述漏领域的直线部分而形成的门电极，在上述半导体基板的上侧在上述直线部分的长度方向延伸位置处形成的伪电极，在上述门电极和上述伪电极的上侧各自重叠形成的止动绝缘膜，覆盖上述门电极、上述伪电极和上述止动绝缘膜侧壁的侧壁绝缘膜，覆盖隐藏上述止动绝缘膜和上述侧壁绝缘膜而覆盖上述半导体基板的上侧的层间绝缘膜，和在上述层间绝缘膜的内部沿上下方向延伸，为下端与上述源领域或漏领域之一电气连接的导电体部件且从上方看时平行于上述门电极的上述直线部分而延伸的直线形触点部；从上方看时的上述直线形触点部外形的长边位于越过上述侧壁绝缘膜而分别进入上述门电极和上述伪电极的上侧领域的位置，从上方看时在上述直线形触点部内部出现的上述门电极和上述伪电极之间的间隙，以不使上述半导体基板露出的程度由上述侧壁绝缘膜掩埋。