[发明专利]半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 200410006818.0 | 申请日： | 2004-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1525644A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 西川信广;井上晃一 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00;H03K17/24;H01L21/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路器件具有MOS晶体管M2，晶体管M2包含用于防止MOS晶体管M1的寄生二极管Dx1造成的反向电流的寄生二极管Dx2。该半导体集成电路器件还具有：一个电压设置电路1，其用于在反向偏置状态下截止MOS晶体管M2，以及一个抗反向电流元件2，其用于在反向偏置状态下防止流过电压设置电路1的反向电流。在正常工作状态，根据施加到MOS晶体管M2导电端6y的电压，在MOS晶体管M2耐压范围内的直流电压馈送到它的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，其中包括：第一MOS晶体管，其具有第一背栅区、第一导电区，和第二导电区，以及具有的第一个背栅区与第一导电区连接在一起；第二MOS晶体管，其具有第二背栅区、第三导电区、和第四导电区，第二背栅区和第三导电区连接到第一MOS晶体管的第一背栅区与第一导电区，以及在第四导电区接收第一直流电压；电压设置电路，其设置馈送给第二MOS晶体管栅极的第二直流电压；抗反向电流元件，其接收第一直流电压或由第一直流电压产生的第三直流电压，并且以防止反向电流流过电压设置电路的方式连接到电压设置电路，其中电压设置电路根据第一直流电压或第三直流电压，产生在第二MOS晶体管耐压范围内的第二直流电压。
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