[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200410006918.3 | 申请日： | 2004-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1661820A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 许生杰;古锦福;洪文庆;许进恭;许世昌 | 申请（专利权）人： | 元砷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极以及透明保护层。其中，半导体层是位于基材，其例如由一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层以及一发光层所构成。透明导电层配置于半导体层上。第一电极与第一型掺杂半导体层电性连接。第二电极透过透明导电层与第二型掺杂半导体层电性连接。本发明的透明保护层除了可增加组件亮度外，并可隔绝湿气保护组件，以提升组件寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：一基材；一晶核层，位于所述基材上；一缓冲层，位于所述晶核层上；一第一束缚层，位于所述缓冲层的部分区域上，其中所述第一束缚层的掺杂型与所述缓冲层的掺杂型相同；一发光层，位于所述第一束缚层上；一第二束缚层，位于所述发光层上，其中所述第二束缚层的掺杂型与所述第一束缚层的掺杂型不同；一接触层，位于所述第二束缚层上；一透明导电层，位于所述接触层上；一第一电极，位于所述第一束缚层分布区域以外的所述缓冲层上；一第二电极，位于所述透明导电层的部分区域上；以及一透明保护层，配置于所述透明导电层以及所述第二电极的部分区域上。
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