[发明专利]高耐电压场效应型半导体设备有效
| 申请号： | 200410007023.1 | 申请日： | 2004-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1525575A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 西胁克彦;栉田知义;河路佐智子 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;顾红霞 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种高耐电压场效应型半导体设备，其减弱在半导体衬底的电场同时不加厚漂移区的厚度，而且实现对于高电压的耐压性能，且不牺牲开启电压，开关关闭特性和小型化。场效应型半导体设备在一个表面(图2的上表面)上包括发射极区域100，104和栅极电极106等，并且在另一表面(图2的下表面)上包括集电极区域101等，其中在面对栅极电极106的P主体区域103和在P主体区域103下面的N漂移区102之间安置具有低的杂质浓度的N－场分散区域111。因此，减弱了在集电极和发射极之间的电场并且实现了高耐电压场效应型半导体设备。可以在N漂移区102和N漂移区102下面的P+集电极区域101之间安置另一个场分散区域。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 场效应 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种高耐电压场效应型半导体设备，包括：主体区域，安置在半导体衬底中；栅极电极，面对主体区域；漂移区，安置在半导体衬底中主体区域下面，漂移区的导电类型和主体区域的相反；以及场分散区域，安置在主体区域和漂移区之间，该场分散区域的导电类型和漂移区的相同并且具有低的净杂质浓度。
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