[发明专利]半导体装置的制造方法无效

申请号：	200410007047.7	申请日：	2004-02-26
公开（公告）号：	CN1525553A	公开（公告）日：	2004-09-01
发明（设计）人：	伊东丰二	申请（专利权）人：	松下电器产业株式会社
主分类号：	H01L21/8242	分类号：	H01L21/8242;H01L21/82;H01L27/108
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	汪惠民
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明提供一种半导体装置的制造方法。该方法采用稳定地形成开口部分的壁面的梯形形状的办法，提高电极和电容绝缘膜的覆盖性。半导体装置的制造方法，具备如下工序：在半导体衬底(100)上形成导电膜(103)的工序；形成绝缘膜(104)以便覆盖导电膜(103)的工序；使用具有第1开口图形的掩模，在绝缘膜(104)上形成底部达不到导电膜(103)的孔(104a)的工序；使用具有直径比第1开口图形的直径大的第2开口图形的掩模，在绝缘膜(104)上形成使导电膜(103)露出来的开口部分(104b)的工序。开口部分(104b)的壁面与开口部分(104b)的底面的夹角为钝角。
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具备如下工序：于衬底形成导电膜的工序；覆盖上述导电膜形成的绝缘膜的工序；用具有第1开口图形的掩模材料，于上述绝缘膜形成底部达不到上述导电膜的孔的工序；用具有比上述第1开口图形的直径还大的直径的第2开口图形的掩模材料，于上述绝缘膜形成使上述导电膜露出来的开口部分的工序；上述开口部分的壁面和上述开口部分的底面之间的夹角是钝角。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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