[发明专利]镶嵌处理方法、镶嵌处理装置和镶嵌构造无效
| 申请号： | 200410007063.6 | 申请日： | 2003-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1527378A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 加治哲德;内牧阳一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜形成电传导性镶嵌的镶嵌处理方法，其特征是：蚀刻处理low－k材料以后，在蚀刻处理的同一处理室、或通过真空中运送在另外的处理室，将用电压加速的离子或对加速后的该离子除去带电的中性粒子冲击蚀刻处理面，进行碳化、氮化、溴化、硼化、还原、非晶化或这些的组合的表面改性处理的铜阻挡层处理，将铜埋入具有进行了铜阻挡层处理后的蚀刻处理面的柱塞部。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 处理 方法 装置 构造 | ||
【主权项】：
1.一种在电绝缘膜中形成的柱塞部埋入铜形成电传导性镶嵌的镶嵌处理方法，其特征是：蚀刻处理low-k材料以后，在蚀刻处理的同一处理室、或通过真空中运送在另外的处理室，将用电压加速的离子或对加速后的该离子除去带电的中性粒子冲击蚀刻处理面，进行碳化、氮化、溴化、硼化、还原、非晶化或这些的组合的表面改性处理的铜阻挡层处理，将铜埋入具有进行了铜阻挡层处理后的蚀刻处理面的柱塞部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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