[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200410007206.3 | 申请日： | 2004-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1532938A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 龟山工次郎;三田清志 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/15;H01L31/00;H01L33/00;H01L23/28;H04N1/028 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，其为薄型及小型，且机械强度及耐湿性优异。半导体装置(10A)由密封树脂(13)密封具有受光部或发光部的光半导体元件(14)，形成包覆光半导体元件(14)的表面的包覆层(12)由密封树脂(13)的表面露出的结构。因此，和利用透明树脂密封整体的现有例比较，可以形成薄的密封树脂(13)，可以使装置整体的厚度变薄。而且使用混入了填料的密封树脂，构成半导体装置(10)。由此可以形成具有优异的机械强度和耐湿性的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有受光部或发光部的光半导体元件由密封树脂密封，其特征在于，包覆所述光半导体元件表面的包覆层由所述密封树脂的表面露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
