[发明专利]制造高压双栅装置的方法无效
| 申请号： | 200410007214.8 | 申请日： | 2004-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1525552A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 朴盛羲 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/283;H01L21/76;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造高压双栅装置的方法，其藉由在形成一氮化物膜的选择性蚀刻制造工艺之后形成一高压氧化物膜，可限制损坏器件隔离层。该方法包括：在一具有一低压装置形成区及一高压装置形成区的半导体基板的该高压装置形成区中，形成高压n型阱区及高压p型阱区；在所述阱区中形成一高压NMOS晶体管的源极/漏极以及一高压PMOS晶体管的源极/漏极；藉由STI形成在一器件隔离层中形成一器件隔离层，并且在该整个表面上形成一缓冲氮化物膜；在该缓冲氮化物膜上形成一高压栅氧化物膜，并且仅在该高压装置形成区中保留该高压栅氧化物膜；以及在该低压装置形成区中形成低压n型阱区及低压p型阱区，并且在所述表面上形成一低压栅氧化物膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 高压 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造一高压双栅装置的方法，包括下列步骤：在一具有一低压装置形成区及一高压装置形成区的半导体基板的该高压装置形成区中，形成高压n型阱区及高压p型阱区；在所述阱区中形成一高压NMOS晶体管的源极/漏极以及一高压PMOS晶体管的源极/漏极；藉由浅沟槽隔离工艺形成一器件隔离层，并且在该整个表面上形成一缓冲氮化物膜；在该缓冲氮化物膜上形成一高压栅氧化物膜，并且仅在该高压装置形成区中保留该高压栅氧化物膜；以及在该低压装置形成区中形成低压n型阱区及低压p型阱区，并且在所述表面上形成一低压栅氧化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
