[发明专利]在研磨工艺期间离子轰击电研磨指示体以减小噪声无效
| 申请号： | 200410007296.6 | 申请日： | 2004-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1535796A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 马克·A.·丘奇;维普尔·P.·加亚塞卡拉;霍华德·G.·左拉 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/302;B24B1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种降低在研磨指示体中的噪声的方法。掩蔽巨磁阻器件晶片的选定部分，从而限定晶片的掩蔽区和包括研磨指示体的未掩蔽区。用离子轰击晶片，从而降低未掩蔽区的巨磁阻效应。研磨GMR器件，使用研磨指示体来测量研磨的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 工艺 期间 离子 轰击 指示 减小 噪声 | ||
【主权项】：
1.一种研磨GMR器件的方法，包括：掩蔽GMR器件晶片的选定部分，从而限定晶片的掩蔽和非掩蔽区，其中非掩蔽区包括研磨指示体；用离子轰击晶片，从而降低未掩蔽区的GMR效应；研磨晶片的至少一部分；以及使用研磨指示体来测量研磨的程度。
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