[发明专利]相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法有效
| 申请号： | 200410007307.0 | 申请日： | 2004-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1525540A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | X·苏;B·M·殷;P·勒温哈德特 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘继富;马崇德 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在衬底上形成的半导体芯片。在衬底上形成掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层。在掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层上形成有机硅酸盐玻璃层。用有机硅酸盐玻璃与掺杂氧的碳化硅的选择率高于5∶1的蚀刻选择蚀刻有机硅酸盐玻璃层中的结构元件。 | ||
| 搜索关键词： | 相对于 掺杂 碳化硅 选择 蚀刻 有机 硅酸盐 玻璃 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成结构元件的方法，包括：在衬底上形成掺杂氧的碳化硅蚀刻终止层；在掺杂的碳化硅蚀刻终止层上形成有机硅酸盐玻璃层；选择性蚀刻有机硅酸盐玻璃层中的结构元件，有机硅酸盐玻璃与掺杂氧的碳化硅的选择率高于5∶1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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