[发明专利]形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置无效
申请号: | 200410007390.1 | 申请日: | 2004-03-02 |
公开(公告)号: | CN1665006A | 公开(公告)日: | 2005-09-07 |
发明(设计)人: | 沈育浓 | 申请(专利权)人: | 沈育浓 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李树明 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置,该具有导电凸块的装置包含:一半导体晶片,该晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该表面上的焊垫;及数个各形成于一对应的焊垫的中央部分上的导电凸块,每一导电凸块包括一形成于一对应的焊垫上的凸点及一形成于该对应的凸点上且从该对应的凸点延伸到对应的焊垫的表面上的金属层。本发明的形成导电凸块的方法及具有如此形成的导电凸块的装置,具有制造程序简单、符合环保要求、体积小、成本低等优点。 | ||
搜索关键词: | 形成 导电 方法 具有 如此 装置 | ||
【主权项】:
1.一种形成导电凸块的方法,其特征在于:包含如下的步骤:(1)提供一半导体晶片,该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫;(2)以光阻材料于该半导体晶片的整个焊垫安装表面上形成一绝缘层,该绝缘层是借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理来形成有数个暴露该晶片的对应的焊垫的中央部分的穿孔;(3)以光阻材料于该绝缘层上形成一覆盖层且将该绝缘层的穿孔覆盖,于该覆盖层上借着使用光罩的曝光和化学冲洗处理形成数个暴露对应的焊垫的中央部分的暴露孔,由每一暴露孔所暴露的焊垫中央部分的面积是比由该穿孔所暴露的焊垫中央部分的面积小;(4)在覆盖层的暴露孔形成之后,于该覆盖层的每一个暴露孔内填注凸点形成材料,以使每一个暴露孔内的凸点形成材料形成一对应焊垫上的凸点;及(5)把该覆盖层移去且在每一焊垫上的凸点上以电镀方式形成一金属层,以形成导电凸块,该金属层是从对应的凸点延伸到对应的焊垫表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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