[发明专利]MEMS器件以及形成MEMS器件的方法有效
| 申请号： | 200410007402.0 | 申请日： | 2004-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1572719A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | E·L·尼科尔;M·斯泽佩斯;S·本加利;M·G·蒙罗伊;S·J·波托尼克 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成MEMS器件的方法，包括提供包含基底材料(210)以及形成在基底材料的第一侧(212)上的至少一层导电层(220)的底层结构(200)，在底层结构的该至少一层导电层上形成介电层(250)，在介电层上形成保护层(252)，在保护层上确定MEMS器件的电接触区域(202)，在电接触区域内穿过保护层和介电层到底层结构的至少一层导电层形成开口(242)。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成MEMS器件的方法，该方法包括：提供包括基底材料(210)和形成在基底材料的第一侧(212)上的至少一层导电层(220)的底层结构(200)；在底层结构的该至少一层导电层上形成介电层(250)；在介电层上形成保护层(252)；在保护层上确定MEMS器件的电接触区域(202)；以及在电接触区域内形成穿过保护层和介电层到底层结构的该至少一层导电层的开口(242)。
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