[发明专利]具有多层布线结构的半导体晶片装置及其封装方法无效

专利信息
申请号: 200410007483.4 申请日: 2004-03-05
公开(公告)号: CN1665009A 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 沈育浓 申请(专利权)人: 沈育浓
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48;H01L23/52
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 李树明
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种具有多层布线结构的半导体晶片装置及其封装方法,该封装方法包含如下的步骤:提供一半导体晶片,于该晶片的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层,该第一绝缘层设有用于暴露焊垫的通孔;于该焊垫上形成第一导电体,该第一导电体具有与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层上的第二端部;于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层,该第二绝缘层设有暴露第一导电体的第二端部的通孔;于第一导电体的第二端部上形成另一导电体;于该第二绝缘层上形成一第三绝缘层,于另一导电体上形成一导电球体。本发明可以针对晶片焊垫间的距离越来越小的情况下使焊垫易于与外部电路电气连接,进而提高生产效率及优良品率。
搜索关键词: 具有 多层 布线 结构 半导体 晶片 装置 及其 封装 方法
【主权项】:
1.一种具有多层布线结构的半导体晶片装置的封装方法,其特征在于:包含如下的步骤:(1)提供一半导体晶片,该半导体晶片具有一焊垫安装表面及数个安装于该焊垫安装表面上的焊垫;(2)于该晶片的焊垫安装表面上形成一第一绝缘层,该第一绝缘层是对应于该晶片的焊垫形成有数个用于暴露对应的焊垫的通孔;(3)于至少一个所述的焊垫上形成一第一导电体,该第一导电体具有一与该焊垫电气连接的第一端部和一从该焊垫向上延伸至该第一绝缘层的顶表面上的第二端部;(4)于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层,该第二绝缘层对应于该第一导电体的第二端部形成有数个用于暴露对应的第一导电体的第二端部的通孔;(5)于每一第一导电体的第二端部上形成另一导电体;(6)于该第二绝缘层上形成一第三绝缘层,该第三绝缘层对应于所述的另一导电体形成数个用于暴露对应的另一导电体的通孔;(7)于每一所述的另一导电体上形成一导电球体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈育浓,未经沈育浓许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410007483.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top