[发明专利]锁模光纤光栅外腔半导体激光器结构无效
| 申请号： | 200410007710.3 | 申请日： | 2004-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1665083A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈少武;徐庆扬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;G02B6/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种锁模光纤光栅外腔半导体激光器结构，其中包括：一半导体激光器，该半导体激光器构成整个器件的激光增益装置，其中间为量子阱结构有源层，在该半导体激光器上制作有激光器电极；一电吸收调制器，在该电吸收调制器上制作有调制器高频电极，该电吸收调制器与半导体激光器集成在同一芯片上，该电吸收调制器构成整个器件的调制装置，其中间为量子阱结构电吸收层；一单模光纤；一光纤光栅，该光纤光栅制作在单模光纤上；该光纤光栅与半导体激光器对接耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤 光栅 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种锁模光纤光栅外腔半导体激光器结构，其特征在于，其中包括：一半导体激光器，该半导体激光器构成整个器件的激光增益装置，其中间为量子阱结构有源层，在该半导体激光器上制作有激光器电极；一电吸收调制器，在该电吸收调制器上制作有调制器高频电极，该电吸收调制器与半导体激光器集成在同一芯片上，该电吸收调制器构成整个器件的调制装置，其中间为量子阱结构电吸收层；一单模光纤；一光纤光栅，该光纤光栅制作在单模光纤上；该光纤光栅与半导体激光器对接耦合。
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