[发明专利]带光检测器的半导体光放大器及制作方法有效
| 申请号： | 200410007802.1 | 申请日： | 2004-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1584652A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 李定锡;吴润济;黄星泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42;G02F1/39 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种带光检测器的增益箝制半导体光放大器，所述光检测器集成于单晶体衬底上，能够检测光放大器输入/输出端的光强度。该半导体光放大器包括：第一导电半导体衬底；形成于半导体衬底上的半导体光放大器，具有在水平方向上产生激光的结构；以及第一和第二光检测器，分别形成于距离半导体光放大器的输入侧和输出侧有一定水平间隔的那部分半导体衬底上，以测量所述半导体光放大器的输入信号和输出信号的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 检测器 半导体 放大器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光学器件，包括：第一导电半导体衬底；半导体光放大器，它形成于所述半导体衬底上，具有在水平方向上产生激光的结构；第一和第二光检测器，分别形成于距离半导体光放大器的输入侧和输出侧有一定水平间隔的那部分半导体衬底上，以测量所述半导体光放大器的输入信号和输出信号的强度。
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