[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410007815.9 | 申请日： | 2004-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN1551357A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 西乡薰 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/04;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有电容器的半导体器件。该器件的结构包括：通过要成为电容器下电极的板线(12a)上的介质膜(13)形成的电容器上电极(14a、14b)；连接到板线(12a)的一端并具有接触区的导电连接部分(12b)；在导电连接部分(12b)上的介质膜(13)上的接触区和板线(12a)的边缘之间形成的上导电图形(14c)，并且与电容器上电极(14a、14b)在同一层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底上形成的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成的两个或更多电容器下电极，从而在垂直方向延伸，并且通过具有接触区的导电连接部分在水平方向上彼此连接各自的一端；在所述接触区和在导电连接部分上的所述电容器下电极之间形成、并且形成在所述电容器下电极上的介质膜；在所述电容器下电极上的所述介质膜上形成、并且在所述垂直方向至少在一条直线上的电容器上电极；以及在与所述电容器上电极在同一层中、距离所述导电连接部分最近的所述电容器上电极一定间距、在导电连接部分上的介质膜上形成的上导电图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
