[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200410008009.3 | 申请日： | 2004-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1551240A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 森本英德 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种高可靠性的非易失性半导体存储装置，该装置使用的NAND型存储器单元适于高集成化，且能实现高速写入和擦除。将多个存储器单元(1)串联连接形成存储器单元串联部(2)，该存储器单元(1)将在半导体衬底上形成的单元晶体管(Tij)和可变电阻元件(Rij)连接起来形成，可变电阻元件(Rij)由电阻值随在单元晶体管(Tij)的源、漏端子间施加电压而变化的含锰的具有钙钛矿结构的氧化物形成，配置多个存储器单元块(3)来构成存储器单元阵列，该存储器单元块(3)是在存储器单元串联部(2)的至少一端设置选择晶体管(Si)来形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储装置，其特征在于：具有呈阵列状配置多个存储器单元构成的存储器单元阵列，上述存储器单元具有在半导体衬底上形成的晶体管和连接在上述晶体管的源极和漏极端子之间的可变电阻元件，其电阻值随施加的电压变化。
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