[发明专利]一种清洁半导体装置的方法和设备无效

专利信息
申请号: 200410008062.3 申请日: 2004-03-09
公开(公告)号: CN1581444A 公开(公告)日: 2005-02-16
发明(设计)人: 南相禑;李埰甲 申请(专利权)人: 东部电子股份有限公司
主分类号: H01L21/3063 分类号: H01L21/3063;H01L21/302
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 王琤
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及一种清洁半导体装置的方法和设备,用于清洁一蚀刻标的(例如,自一蚀刻标的移除蚀刻副产物)。该方法至少包含:提供一低于室温的预定温度的清洁溶液,并以该清洁溶液清洁该蚀刻标的。该用于清洁半导体装置的设备至少包含:一卡盘,其中一半导体基材架设于该卡盘上;一用于储存一清洁溶液的溶液储存部分:一用于将该清洁溶液供应至该半导体基材的溶液供应部分;一可将该清洁溶液温度维持在低于室温的热交换部分;和一控制部分,用以控制该卡盘使其转动一预定时间范围,以及使该清洁溶液自该热交换部分经由该溶液供应部分被送至该半导体基材。据此,本发明在该蚀刻副产物清洁方法中提供该蚀刻图案更精确的侧边轮廓。
搜索关键词: 一种 清洁 半导体 装置 方法 设备
【主权项】:
1.一种清洁半导体装置的方法,用于清洁一半导体基材上的线或沟渠蚀刻图案,该方法包含以下步骤:(a)将一清洁溶液冷却至一低于环境温度或室温的预定温度;和(b)将该冷却的清洁溶液供应至该半导体基材,以移除该线或沟槽图案上的蚀刻副产物。
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