[发明专利]处理方法及装置

摘要

本发明提供一种处理方法及装置，利用至少含有氢气的处理气体的等离子体对至少其中一部分由硅类材料构成的被处理体的悬空键进行封端处理；其特征在于，将被处理体载置在具有电介质窗和载置台的处理室的所述载置台上，在特定的载置台温度和处理室内压力下，用处理气体的等离子体对被处理物进行处理，其中使等离子体密度为10¹¹cm^－3或10¹¹cm^－3以上，电介质窗与被处理体的距离维持为20mm或20mm以上、200mm或200mm以下。

主权项

1、一种处理方法，是利用至少含有氢气的处理气体的等离子体对至少其中一部分由硅类材料构成的被处理体的悬空键进行封端的处理方法；其特征在于，所述方法具有如下步骤：将所述被处理体载置在具有电介质窗和载置台的处理室的所述载置台上，将所述载置台的温度控制为规定温度；将所述处理室内的压力控制为规定压力；将所述处理气体导入所述处理室内；将用于对所述被处理体实施等离子体处理的微波经由所述电介质窗导入所述处理室内，使所述处理气体等离子体的等离子体密度为1011cm-3或1011cm-3以上；将所述电介质窗与所述被处理体的距离维持在20mm或20mm以上、200mm或200mm以下的范围内。