[发明专利]存储器的制造方法和存储器

摘要

本发明提供了一种存储器的制造方法，通过这种方法可以提高从存储单元读取信号的强度。这种存储器的制造方法包括以下工序：通过对形成于第1电极膜上的存储材料膜的一部分进行规定厚度的蚀刻，形成存储部和被蚀刻的薄膜部的工序；以至少覆盖存储材料膜的薄膜部的方式形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上的规定区域形成蚀刻掩膜之后，使其作为蚀刻掩膜，通过对绝缘膜与存储材料膜的薄膜部进行蚀刻来将绝缘膜与存储材料膜的薄膜部图形化的工序。

主权项

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在第1电极膜上形成存储材料膜的工序；通过对所述存储材料膜的一部分进行规定厚度的蚀刻，形成存储部和被蚀刻了的薄膜部的工序；形成至少覆盖所述存储材料膜的薄膜部的绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上的规定区域形成蚀刻掩膜之后，通过将所述蚀刻掩膜作为掩膜，对所述绝缘膜及所述存储材料膜的薄膜部进行蚀刻，将所述绝缘膜及所述存储材料膜的薄膜部图形化的工序。