[发明专利]半导体装置、电路基板以及电子设备有效
| 申请号： | 200410008577.3 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1534770A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 原一巳;横山好彦;宫泽郁也;山口浩司 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L25/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 路基 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底；形成在所述通孔的内壁上的第一绝缘膜；以及被形成在所述通孔内的所述第一绝缘膜的内侧上的电极，其中在所述半导体衬底的背面侧的所述第一绝缘膜伸出所述背面之外，以及所述电极伸到所述半导体衬底的有源面侧和所述背面侧上，所述电极在所述有源面侧的突出部分的外径大于在所述通孔内的所述第一绝缘膜的外径，并且所述电极在所述背面侧的突出部分进一步伸出所述第一绝缘膜之外，以便使其侧面暴露。
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