[发明专利]电介质瓷器组合物及利用所述组合物的电介质谐振器有效
申请号: | 200410008685.0 | 申请日: | 2004-03-16 |
公开(公告)号: | CN1530964A | 公开(公告)日: | 2004-09-22 |
发明(设计)人: | 宫内泰治;岚友宏 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01B3/12 | 分类号: | H01B3/12;C04B35/46;C04B35/16;H01P7/10 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供可控制相对介电系数εr和温度系数τf的、具有例如适合于准毫米波以及毫米波频带的相对介电系数εr以及接近零的温度系数τf的电介质瓷器组合物。通过在MgTiO3中加入Mg2SiO4,控制相对介电系数εr。例如,当MgTiO3的摩尔比为a,Mg2SiO4的摩尔比为b时,通过a+b=1、0.5≤b≤1,实现小于等于12的相对介电系数εr。另一方面,通过在MgTiO3中加入CaTiO3,控制温度系数τf。例如,当MgTiO3的摩尔比为a,CaTiO3的摩尔比为c时,通过a+c=1、0≤c≤0.15,实现±55ppm/K的温度系数τf,通过0.03≤c≤0.08,实现±30ppm/K的温度系数τf。而且,温度系数τf控制在零附近。 | ||
搜索关键词: | 电介质 瓷器 组合 利用 谐振器 | ||
【主权项】:
1、一种电介质瓷器组合物,其特征在于,含有MgTiO3和Mg2SiO4,当MgTiO3的摩尔比为a,Mg2SiO4的摩尔比为b时,a+b=1,0<b<1。
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