[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410008862.5 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1534795A | 公开（公告）日： | 2004-10-06 |
| 发明（设计）人： | 松田昇 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层；沟槽；厚栅极绝缘膜；薄栅极绝缘膜；栅电极；以及第二导电类型的半导体区。第二导电类型的第二半导体层提供在第一半导体层上。沟槽穿过第二半导体层并进入第一半导体层内。厚栅极绝缘膜提供在低于第一半导体层的上表面的沟槽内壁上。薄栅极绝缘膜提供在高于厚栅极绝缘膜的部分上的沟槽内壁上；填充沟槽的栅电极。第二导电类型的半导体区选择性地形成以邻接沟槽并从第二半导体层的底面深入到第一半导体层内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体层；提供在第一半导体层上的第二导电类型的第二半导体层；沟槽，穿过第二半导体层并进入第一半导体层内；厚栅极绝缘膜，提供在低于第一半导体层的上表面的沟槽内壁上；薄栅极绝缘膜，提供在高于厚栅极绝缘膜的部分上的沟槽内壁上；填充沟槽的栅电极；以及第二导电类型的半导体区，选择性地形成以邻接沟槽并从第二半导体层的底面深入到第一半导体层内。
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