[发明专利]一种体硅MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200410009320.X | 申请日： | 2004-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN1595660A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;张志宽;陈文新;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/76;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余功勋 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种体硅MOS晶体管结构及其制作方法。该体硅MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一源区和一漏区；栅电极位于栅介质层之上；栅介质位于半导体体区之上；半导体体区在栅电极两端的部分分别与源区和漏区相连；晶体管的源漏区的下方各有一绝缘层，绝缘层在结构上与栅电极是自对准的。在制备工艺上，绝缘层是通过填充栅电极两侧的硅槽形成，硅槽是通过自对准腐蚀栅电极两侧的体硅形成，源区和漏区是通过外延或CVD方法形成。本发明的MOS晶体管结构集SOI器件和体硅器件的优点于一体，同时消除或大大改善了SOI器件和体硅器件的主要缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种体硅MOS晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一源区和一漏区；所述栅电极位于栅介质层之上；所述栅介质位于半导体体区之上；所述半导体体区在栅电极两端的部分分别与所述源区和漏区相连，其特征在于，所述晶体管的源漏区的下方各有一绝缘层，所述绝缘层在结构上与所述栅电极是自对准的。
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