[发明专利]浮栅闪存场效应晶体管有效
| 申请号： | 200410009435.9 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1599081A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;黄如;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种浮栅闪存场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该浮栅闪存场效应晶体管包括：源区、漏区、体以及顶栅，顶栅由多晶硅控制栅和浮栅组成，浮栅与控制栅、浮栅与体之间均设有栅氧，在顶栅的对面增加设置一背栅，背栅为掺杂的单晶硅，该背与体固定连接，形成P－N结。本发明将浮栅闪存场效应晶体管器件的顶栅的两个作用分开，用含有浮栅的顶栅单独存储数据，可避免发生为了抑制泄漏电流而不得不减弱存储数据能力的情形；用掺杂的单晶硅作为背栅，控制器件的泄漏电流，可满足90纳米以下闪存场效应晶体管器件结构的设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种浮栅闪存场效应晶体管，包括：源区、漏区、体以及顶栅，顶栅是由多晶硅控制栅和浮栅组成，浮栅与多晶硅控制栅、浮栅与体之间均设有栅氧，其特征在于：在顶栅的对面增加设置一背栅，背栅为掺杂的单晶硅，背栅与体固定连接，形成P-N结。
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