[发明专利]一种批量制作纳米结构的方法及其装置无效
| 申请号： | 200410009486.1 | 申请日： | 2004-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN1740089A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈献忠;姚汉民;陈旭南 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟;成金玉 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种批量制作纳米结构的方法及其装置，用线偏振激光梯度场对原子束进行横向高度准直，原子束在穿过掩模时受到横向调制并沉积在基底上(或破坏基底上的特殊膜层)形成纳米结构；制作纳米结构的装置由真空室、原子源、准直孔、振动方向互相垂直的线偏振光、原子束掩模等构成。该方法具有分辨力高、可批量制作、成本低、效率高、操作简便等优点，可广泛应用于量子阱、量子线、量子点、新型纳米器件制作和半导体物理理论研究等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 批量 制作 纳米 结构 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种批量制作纳米结构的方法，其特征在于：采用激光冷却的方法对原子束进行横向高度准直，原子束在穿过束掩模时受到横向调制，具体包括下列步骤：(1)原子束首先通过准直孔进行初步准直，由传播方向相反、振动方向互相垂直的线偏振光形成线偏振激光梯度场，对原子束进行横向冷却达到高度准直的目的；(2)经过准直的原子束在穿过束掩模时受到横向调制，原子沉积在基底上或破坏基底上的特殊膜层形成纳米图形，通过更换基底可实现纳米结构的批量制作。
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