[发明专利]一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200410009805.9 | 申请日： | 2004-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1632965A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 于广华;滕蛟;朱逢吾;张辉;王立锦 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 杨玲莉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的NixFe1－x合金靶，x为78～85，以及溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1％，制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 各向异性 磁电 阻坡莫 合金 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10-5～6×10-5Pa，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积1.0～12.0nmTa、10.0～200.0nmNiyFe1-y和5.0～9.0nmTa，其特征在于，选取不同成分的NixFe1-x合金靶；溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa；通过对NiyFe1-y化学分析，找出薄膜成分符合81Ni∶19Fe、并且薄膜杂质含量小于0.1％的情况下所对应的NixFe1-x合金靶，利用这个选出的坡莫合金靶来沉积Ni81Fe19薄膜。
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