[发明专利]GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法有效
| 申请号： | 200410009840.0 | 申请日： | 2004-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1779900A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张国义;康香宁;陈志忠;陈皓明;秦志新;于彤军;胡晓东;章蓓;杨志坚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B23K26/00;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法，本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜，GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜，将GaN外延片通过特定的焊接材料和工艺焊接在Si片等其他热导性和电导性良好的支撑材料上，保证GaN外延层和承载衬底具有好的电和热接触，同时又有相当的机械强度和耐温能力。利用由外向内的扫描方式及热衬底、加入激光阈值偏置等措施，从蓝宝石一侧使用对蓝宝石透明而GaN强烈吸收的脉冲激光扫描外延片，实现GaN外延层和蓝宝石衬底的大面积均匀分离。发明尤其有利于完整剥离大面积薄层外延膜，通常为2inch的GaN基外延片。 | ||
| 搜索关键词： | gan 外延 大面积 功率 激光 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法，具体包括以下步骤：(1)激光剥离GaN基外延层时，通过给要剥离的外延片施加一个偏置，降低激光剥离的功率；(2)采用螺旋线型或弧线型由外向内的激光光斑的扫描方式；(3)采用低熔点金属合金作为介质层，实现外延层和支撑衬底的连接；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
