[发明专利]一种制备三元高K栅介质材料的方法无效
| 申请号： | 200410009860.8 | 申请日： | 2004-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1779925A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李艳丽;陈诺夫;刘立峰;尹志刚;杨菲;柴春林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/283;H01L21/441;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备高K栅介质材料的方法，特别是指一种制备组分可调的新型三元高K材料的方法。该方法，即：在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。包括步骤：a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半导体衬底；b)薄膜生长所用的方法是溅射法；c)在b)步中，制备时通过调整溅射系统中的靶距，或通过改变溅射功率来调整其中的氧化物含量，以得到所需的三元高K薄膜材料；d)在c)步中，当钆距为6cm、钇距为7cm、钆的溅射功率为70W、钇的溅射功率为60W时，所制备的三元高K材料性质最优，其中各氧化物成分为(Gd2O3) 0.98(Y2O3) 0.02，介电常数可高达23，比Gd2O3的介电常数高了40％，比Y2O3的介电常数高了70％。本发明方法制备的产品与其它高K材料相比，因混合了两种氧化物的优点而消除或降低了它们的缺点，使材料的性能达到最优。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 三元 介质 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备三元高K材料的方法，其特征在于：选择半导体衬底，然后在衬底上用溅射的方法生长三元高K薄膜材料。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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