[发明专利]用自蔓延合成超细氮化铝基复相陶瓷粉末的方法无效
| 申请号： | 200410009871.6 | 申请日： | 2002-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1618767A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 葛昌纯;陈克新;李江涛 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本明提供了一种自蔓延合成超细AlN基复相陶瓷粉末。对于AlN/ZrN/Al3Zr复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为0－40wt％的AlN粉末，0－30wt％的ZrN粉末，10－85wt％的Al粉和30－70wt％的Zr粉，素坯的密度为35－50％，SHS反应的氮气压力为1－30MPa。对于AlN/ZrN复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为70－80wt％的Zr粉和20－30wt％的AlN粉末，素坯的密度为35－50％，SHS反应的氮气压力为1－30MPa。对于AlN－SiC固溶体的反应物的原始配比为Si和C为0－85atm％，Al为15－100atm％，atm为原子百分比，氮气的压力为1－30MPa。其优点在于：在氮化铝的基础上，设计出多相复合材料，以取得性能的多重叠加优势。 | ||
| 搜索关键词： | 蔓延 合成 氮化 铝基复相 陶瓷 粉末 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自蔓延高温合成AlN基复相陶瓷粉体的方法，其特征在于：对于AlN/ZrN/Al3Zr复相陶瓷粉体，原始反应物粉末的成分配比为0-40wt％的AlN粉末，0-30wt％的ZrN粉末，10-85wt％的Al粉和30-70wt％的Zr粉，各成分配比之和不超过100％；素坯的密度为35-50％，SHS反应的氮气压力为5-30Mpa。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410009871.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改质聚酯纤维、异收缩复合长纤维及其织物
- 下一篇：数字三相移相触发集成电路
