[发明专利]一种镍铁薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200410009912.1 | 申请日: | 2004-11-30 |
公开(公告)号: | CN1613641A | 公开(公告)日: | 2005-05-11 |
发明(设计)人: | 邱宏;陈晓白;潘礼庆;吴平;王凤平 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B32B15/04 | 分类号: | B32B15/04 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种镍铁薄膜及其制备方法。镍铁薄膜中镍含量在10至35原子百分比,其中面心立方结构所占的比例在0至100%之间可调。镍铁薄膜具有垂直于基片表面的柱状晶粒,晶粒在平行于基片表面方向上的宽度是5至500纳米。用物理气相沉积法制备不同成分的镍铁薄膜,用低于500度的热处理调节镍铁薄膜中面心立方结构所占比例。本发明的优点在于:通过对同一种成分的镍铁薄膜进行低温热处理,调节薄膜中不同结晶结构比例,获得相应的物理特性。由于温度控制容易,所以制备工艺稳定、制备方法简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种镍铁薄膜,其薄膜的镍含量在10原子百分比至35原子百分比;其特征在于:由基片(1)及在基片上生成的镍铁薄膜(2)组成,镍铁薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米;镍铁薄膜(2)中的面心立方结构部分(3)所占比例在0至100%之间,相应的体心立方结构部分(4)所占比例在100%至0之间,镍铁薄膜(2)具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒(5),结晶晶粒的大小,即结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度,为5纳米至500纳米。
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