[发明专利]一种抑制薄膜界面反应的方法无效
| 申请号： | 200410009961.5 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1635590A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 于广华;姜勇;滕蛟;王立锦;张辉;朱逢吾 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01F10/32 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 杨玲莉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80％，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 薄膜 界面 反应 方法 | ||
【主权项】：
1、一种抑制薄膜界面反应的方法，在磁控溅射仪中进行，其特征在于，在Ta/NiO/NiFe/Ta结构中的NiO与NiFe层之间插入Bi、Pb、和In等任何一种表面活化剂，将清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(150～600)/铋Bi或铅Pb或铟In(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。
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