[发明专利]一种低烧结温度的微波衰减材料无效
| 申请号： | 200410009986.5 | 申请日： | 2004-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1785667A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张永清;丁耀根;钱书珍;徐振英;黄云平;周小攀 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | B32B15/02 | 分类号： | B32B15/02;B22F7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于微波电真空器件制造技术领域，是一种低烧结温度的微波衰减材料。这种低烧结温度的微波衰减材料，由过渡层粉末、中间层粉末、表面层粉末组成，其在过渡层粉末中添加20～40wt％的纳米镍粉，在中间层粉末、表面层粉末中加入10～20wt％的纳米铁粉，利用纳米材料的低熔点以有效降低微波衰减材料涂层的烧结温度。本发明的材料涂层使微波衰减涂层的烧结温度，较现有铝硅铁涂层的烧结温度降低约50℃，解决了烧结温度偏高造成铜基体变形的问题。本发明的材料在降低烧结温度的同时，并未对材料衰减微波的能力造成明显影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 温度 微波 衰减 材料 | ||
【主权项】：
1.一种低烧结温度的微波衰减材料，由过渡层粉末、中间层粉末、表面层粉末组成，其特征在于，在过渡层粉末中添加20～40wt％的纳米镍粉，在中间层粉末、表面层粉末中加入10～20wt％的纳米铁粉，利用纳米材料的低熔点以有效降低微波衰减材料涂层的烧结温度。
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