[发明专利]自对准内栅凹陷沟道晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410010450.5 | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1649111A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 金志永;赵昶贤;申树浩;郑泰永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体衬底中的自对准内栅凹陷沟道，包括：形成在衬底有源区中的凹槽；形成在凹槽底部上的栅极电介质层；形成在凹槽侧壁上的凹槽内侧壁隔离壁；形成在凹槽内的栅极使得栅极的上部伸出衬底的上表面之上，其中凹槽内侧壁隔离壁的厚度使栅极的中间部分的宽度小于栅极突出的上部和下部；形成在栅极层上的栅极掩模；形成在栅极的突出的上部和栅极掩模上的栅极侧壁隔离壁；以及在与栅极侧壁隔离壁相邻的衬底有源区中形成的源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 凹陷 沟道 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底中的自对准内栅凹陷沟道，包括：形成在该衬底的有源区中的凹槽；形成在该凹槽底部上的栅极电介质层；形成在该凹槽侧壁上的凹槽内侧壁隔离壁；形成在该凹槽内的栅极，从而该栅极的上部伸出该衬底的上表面之上，其中该凹槽内侧壁隔离壁的厚度使该栅极的中间部分具有比该栅极的突出的上部和下部小的宽度；形成在该栅极层上的栅极掩模；形成在该栅极的突出的上部和该栅极掩模上的栅极侧壁隔离壁；以及在与该栅极侧壁隔离壁相邻的衬底有源区中形成的源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
