[发明专利]抛光垫有效
申请号: | 200410010483.X | 申请日: | 2004-10-08 |
公开(公告)号: | CN1638056A | 公开(公告)日: | 2005-07-13 |
发明(设计)人: | D·B·詹姆斯;M·J·库尔普 | 申请(专利权)人: | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 邓毅 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于平整半导体基体的抛光垫。该抛光垫包含孔隙度为至少0.1体积%、在40℃和1rad/sec下KEL能量损耗因子为385至7501/Pa以及在40℃和1rad/sec下模量E′为100至400MPa的聚合物材料。 | ||
搜索关键词: | 抛光 | ||
【主权项】:
1.一种用于平整半导体基体的抛光垫,该抛光垫包含孔隙度为至少0.1体积%、在40℃和1rad/sec下KEL能量损耗因子为385-750l/Pa以及40℃和1rad/sec下模量E′为100-400MPa的聚合物材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造