[发明专利]具有虚拟电极的电子发射器件及其制造方法无效
申请号: | 200410010490.X | 申请日: | 2004-12-27 |
公开(公告)号: | CN1638006A | 公开(公告)日: | 2005-07-13 |
发明(设计)人: | 黄成渊 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01J29/02 | 分类号: | H01J29/02;H01J29/46;H01J31/12;H01J9/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李晓舒;魏晓刚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了具有虚拟电极的电子发射器件及其制造方法。除用于发射电子的电极之外,该电子发射器件还具有各种功能性电极。电子发射器件包括互相面对的第一和第二衬底,以及在插入绝缘层的同时在有效电子发射区内的第一衬底上设置的阴极电极和栅极电极。电子发射区与阴极电极电连接。至少一个虚拟电极设置在该有效电子发射区外部。至少一个阳极电极形成在第二衬底上。荧光层形成在阳极电极的任一表面上。 | ||
搜索关键词: | 具有 虚拟 电极 电子 发射 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电子发射器件,包括:互相面对的第一和第二衬底;插入绝缘层的同时在有效电子发射区内的第一衬底上设置的阴极电极和栅极电极;与阴极电极电连接的电子发射区;设置在有效电子发射区外部的至少一个虚拟电极;形成在第二衬底上的至少一个阳极电极;以及形成在阳极电极任一表面上的荧光层。
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