[发明专利]阳极氧化铝模板中一维硅纳米结构的制备方法无效
| 申请号： | 200410010510.3 | 申请日： | 2004-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1669920A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王昕;韩高荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B33/029 | 分类号： | C01B33/029;C30B29/06;C30B29/62;C30B25/00;B82B3/00;C25D11/08 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阳极氧化铝模板中一维硅纳米结构的制备方法。首先利用等离子体化学沉积方法结合多孔氧化铝的空间限制作用低温生长一维硅纳米结构，包括硅纳米线和硅纳米管。首先采用阳极氧化方法制备具有蜂窝孔洞结构的多孔氧化铝模板，孔洞排列有序，孔径一致并垂直模板面。然后将模板置入等离子体增强化学沉积反应室，以高氢稀释硅烷为生长气源，在300℃条件下控制气体流量生长硅纳米线或硅纳米管。本发明合成温度低、时间短、原料价廉、操作简单，在无需引入催化剂的条件下得到硅纳米线和硅纳米管，避免污染。其中通过模板的空间限制作用，使所得的硅纳米线和硅纳米管直径一致，在20～100nm之间可调，长度随生长时间延长而增加。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 氧化铝 模板 中一维硅 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阳极氧化铝模板中一维硅纳米结构的制备方法，其特征在于，方法的步骤如下：1)采用阳极氧化的方法制备具有蜂窝孔洞结构的多孔氧化铝模板，孔洞垂直模板面规则排列，孔径一致；2)把多孔氧化铝模板置入射频功率为60～100W等离子体增强化学沉积反应室，反应温度为250～400℃，反应压力为90～130Pa，以氢气稀释SiH4为生长气源，气体流量为20～80sccm，当气体流量为20～40sccm时生成硅纳米线，当气体流量为60～80sccm时生成硅纳米管。
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