[发明专利]晶体管结构、存储单元及其阵列、及存储器制造方法

摘要

本发明涉及晶体管结构、存储单元及其阵列、与动态随机存取存储器制造法。一种具有沿着x轴的一水平面配置的源极/漏极区域(12，13)的晶体管结构(98)，其包括使该源极/漏极区域(12，13)彼此分开并增加该晶体管结构的有效沟道长度Leff的一凹陷结构(18)。一垂直栅极电极(2)沿着该x轴延伸并包围该晶体管结构(98)的一有源区域(11)的两侧、或全部。有效沟道宽度Weff取决于该栅极电极(2)的深度。具有该晶体管结构(98)的一选择晶体管(9)的存储单元(97)具有一低漏电流以及一良好的切换行为。该晶体管结构(98)可以集成于一具有孔洞沟渠电容器(8)、或堆栈电容器(7)中。

主权项

1.一种晶体管结构，具有：-两源极/漏极区域(12，13)，其形成在一半导体基板(1)中，乃配置在沿着相关于该半导体基板(1)的一基板表面(10)的一x轴的一水平平面中，且通过一凹陷结构(18)而彼此相间隔；-一有源区域(11)的一表面轮廓，其是通过所述源极/漏极区域(12，13)的剖面以及在该水平平面中的该凹陷结构(18)所构成的一辅助区域的一轮廓而预先决定，以及该有源区域(11)的一侧壁乃是通过进入该半导体基板(1)的该表面轮廓的垂直投影线(projection line)而预先定义；以及-位在该两个源极/漏极区域(12，13)间的一传导沟道的形成乃是通过在一栅极电极(2)处的一电位而控制，其中，该栅极电极(2)的一第一区段沿着该侧壁而配置，而在此例子中其沿着该x轴而至少形成于该两个源极/漏极区域(12，13)间，以及其亦至少自所述源极/漏极区域(12，13)之所述下部边缘至超过该凹陷结构(18)的一下部边缘而配置在相关于该基板表面之垂直方向上。