[发明专利]氧化锌生长用低压金属有机化学汽相沉积设备及其工艺

摘要

本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备及其工艺。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品预处理室(102)由衬底样品预处理室由预处理室外壁(21)、样品托盘架(22)、样品台(23)、预处理室抽气孔(24)、等离子发生器(25)、等离子发生器装置法兰(26)、衬底样品预处理室与反应室的连接闸板阀(27)、闸板阀法兰(28)、磁力传送杆(29)、磁套(30)、传送杆法兰(31)等部件构成。本发明的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。

主权项

1、一种MOCVD设备反应室，由带有抽气孔(8)的底座法兰盘(1)、反应室侧壁(2)、旋转轴(3)、磁流体轴承(4)、电机(5)、上法兰盘(6)、不锈钢丝网(7)、加热片(9)、衬底片托盘(10)、气路(11)、副气路(12)(13)、混气室(14)部件构成，特征在于：气路(11)做为通杂质源的杂质源气路，在混气室(14)中杂质源气路(11)的下面添加一个射频等离子发生器(18)，在反应室的侧壁两侧分别插入锌源喷枪(15)和氧源喷枪(16)。