[发明专利]用离子体辅助MOCVD设备制备硫化锌纳米线的方法无效
| 申请号： | 200410011349.1 | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1733608A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 冯秋菊;申德振;张吉英;吕有明;刘益春;范希武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C01G9/08 | 分类号： | C01G9/08 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，是一种利用等离子体辅助的金属有机化学气相沉积方法制备硫化物纳米线的方法。利用ZnS极性与非极性表面稳定性的不同，采用等离子处理的方法，由高频感应线圈产生一个交变的电场，使气源离化，增加反应活性。在衬底表面生成的ZnS极性比较强容易在表面产生迁移，形成最初的ZnS纳米球状结构，继续生长形成ZnS的纳米线。本发明无需引入催化剂或模板，即可定向生长得到了ZnS纳米线阵列，无其它杂质及形态。通过控制生长温度可以生长出不同直径的纳米线。因此，用这种方法制备出的ZnS纳米线可以作为一种接近理想的科学研究材料，为以后纳米器件的制备及实现奠定了良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 辅助 mocvd 设备 制备 硫化锌 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用等离子辅助MOCVD设备制备硫化物纳米线的方法，其特征在于：首先是在金属有机气相沉积生长室加热基座上放入清洗好的蓝宝石和硅衬底，由机械泵和低压控制器使生长室压力控制在1.33×103-2.67×103Pa，再施加高频感应电源使等离子体频率为0.3-0.5MHz；在衬底生长温度升至600-700℃时，通入由钯管纯化的高纯氢气，然后依次通入高纯氢气携带的硫化氢H2S，二甲基锌DMZn；通过冷阱装置将Zn源的温度控制在-27℃，在等离子体协助下完成ZnS纳米线的生长。
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