[发明专利]低功耗纳米气敏元件的制备方法

摘要

本发明属于一种低功耗纳米气敏元件的制备方法，纳米材料以SnO₂为基础材料，制备过程是氨水进入溶液中与Sn⁴⁺反应生成氧化物锡晶核，28－35℃的温度下生长、搅拌，然后依次加入双氧水和环乙烷，再加入氨水并控制溶液的pH＝7－9，制成氧化锡沉淀，经过陈化，过滤，烘干，研细，再将其在高温煅烧1.5－2.5h，获得SnO₂超细粉末；将SnO₂和添加剂Al₂O₃、Pd、InO，充分混合研磨后，用去离子水调成糊状，涂敷在预先烧制的铂丝线圈上，制成微珠式元件，将元件在空气中于650－750℃烧结1.5－2.5h，再将元件焊接在气敏座上，电老化45－50h，测试气敏性能。

主权项

1、一种低功耗纳米气敏元件的制备方法，采用微乳液法，用0.1ml/l的SnCl4溶液，加入0.01-0.5ml/l H1，加入1.5-2.5g阴离子表面活性剂脂肪醇聚环氧乙烷醚硫酸脂钠或脂肪醇硫酸盐，加热，搅拌，控制温度为28℃-35℃，然后依次加入双氧水和环乙烷，再加入氨水并控制溶液的PH＝7-9，制成氧化锡沉淀，经过陈化，过滤，烘干，研细，再将其在高温煅烧1.5-2.5h，获得SnO2超细粉末；将SnO2和添加剂Al2O3、Pd、InO，充分混合研磨后，用去离子水调成糊状，涂敷在预先烧制的铂丝线圈上，制成微珠式元件，将元件在空气中于650-750℃烧结1.5-2.5h，再将元件焊接在气敏座上，电老化45-50h，测试气敏性能。