[发明专利]控制结处的晶格缺陷数目的方法有效
| 申请号： | 200410011589.1 | 申请日： | 2004-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1797719A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 谢炳邦;龚吉富 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种控制结处的晶格缺陷数目的方法，其使用上是配合形成结的离子注入步骤及后续的退火步骤。此方法是在离子注入步骤之前或之后进行额外的注入步骤，以增加离开结位置的衬底区域的应力，而得以在后续退火步骤中加强衬底表层的再结晶效果，由此降低结处的应力以减少晶格缺陷数目。此方法可应用至CMOS元件的轻掺杂漏极或源/漏极工艺，其是在用以形成NMOS及PMOS晶体管的轻掺杂漏极或源/漏极区的多次离子注入步骤之前、之间或之后，进行前述的额外注入步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 晶格 缺陷 目的 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制结处的晶格缺陷数目的方法，其使用上是配合在衬底中形成结的离子注入步骤及后续的退火步骤，其中：进行额外的注入步骤以增加离开结位置的衬底区域的应力，由此在该退火步骤中加强该衬底表层的再结晶效果，从而降低该结处的应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410011589.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种III族氮化物衬底的生产设备
- 下一篇：光盘驱动器的运行特性设定方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
