[发明专利]陶瓷上的薄膜电容器无效
| 申请号： | 200410011654.0 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1637973A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | W·J·宝兰德 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/12;H01G4/008;H01G13/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 周承泽 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在陶瓷基材上形成的薄膜电容器，它具有高电容密度和其他需要的电性质和物理性质。该电容器的介电层在高温下进行了热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 薄膜 电容器 | ||
【主权项】：
1.在基材上制造一个或多个薄膜电容器的方法，包括：提供一个陶瓷基材，其上面具有第一导电层的；在第一导电层上形成介电层，形成介电层包括下面步骤：在第一导电层上形成介电层；在至少800℃进行热处理；在介电层上形成第二导电层，第一导电层，介电层和第二导电层形成一个电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于E.I.内穆尔杜邦公司，未经E.I.内穆尔杜邦公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410011654.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
