[发明专利]快闪存储单元制造方法

摘要

一种快闪存储单元制造方法，是在一氧化物/氮化物/氧化物(ONO)介电层形成于位于一穿隧氧化层上的第一导电层上之后，一第二导电层直接形成此氧化物/氮化物/氧化物介电层上。然后，图案蚀刻第二导电层以形成一周边区域于一半导体基底的一曝露的部分表面上及一存储单元区域于半导体基底上残留的第二导电层上。本发明工艺步骤期间，此氧化物/氮化物/氧化物介电层是受到第二导电层的保护，并未曝露于各种溶剂与气体中。因此，本发明方法在不增加工艺复杂度及不需额外光罩的情况下，可获得高品质的氧化物/氮化物/氧化物栅极介电层。

主权项

1.一种快闪存储单元制造方法，其包括：提供一具第一导电性的半导体基底；形成一穿隧氧化层于该半导体基底上；形成一第一导电层于该穿隧氧化层上；形成一绝缘层于该第一导电层上；形成一第二导电层于该绝缘层上；图案蚀刻该第二导电层，以形成一周边区域于该半导体基底的一曝露的部份表面上及一存储单元区域于该半导体基底上残留的该第二导电层上；形成一栅氧化层(gate oxide layer)于该曝露的部份表面及该第二导电层上；形成一第三导电层于该栅氧化层上；图案蚀刻该第三导电层，以形成一第一栅电极于该周边区域的该栅氧化层上及曝露出该存储单元区域的该栅氧化层；形成一对具电性与该第一导电性相反的第二导电性的轻掺杂漏极区于该第一栅电极一侧壁下方该半导体基底中；形成一介电层于该周边区域的该第一栅电极上及该存储单元区域的该栅氧化层上；非等向性蚀刻该介电层直至曝露该存储单元区域的该第二导电层，以形成一间隙壁于该周边区域的该第一栅电极的该侧壁上；形成一具该第二导电性的源极/漏极区邻接每一该轻掺杂漏极区；及图案蚀刻该存储单元区域的该第二导电层、该绝缘层、该第一导电层及该穿隧氧化层，以形成一第二栅电极。