[发明专利]静态随机存取存储器

摘要

提供一种静态随机存取存储器，软错误的宽容性好。它包括：第一互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的漏区的第一电子传导型场效应晶体管；与第一电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管；第二互补型场效应晶体管，其具备：具有和半导体衬底构成肖特基结的第二漏区的第二电子传导型场效应晶体管；以及与第二电子传导型场效应晶体管共有漏区，具有与第一电子传导型场效应晶体管共用的栅极的第二空穴传导型场效应晶体管，第一及第二互补型场效应晶体管的共用栅极连接在相对的互补型场效应晶体管的共有漏区上。

主权项

1、一种静态随机存取存储器，其特征在于包括：第一互补型场效应晶体管，该第一互补型场效应晶体管具备：具有与半导体衬底构成肖特基结的第一漏区、以及在上述半导体衬底上形成的栅极的第一电子传导型场效应晶体管；以及与上述第一电子传导型场效应晶体管共有第一漏区，在上述半导体衬底上具有与上述第一电子传导型场效应晶体管共用化了的栅极的第一空穴传导型场效应晶体管，第一传输门，该第一传输门由与上述第一互补型场效应晶体管共有上述第一漏区的场效应晶体管构成，第二互补型场效应晶体管，该第二互补型场效应晶体管具备：具有与上述半导体衬底构成肖特基结的第二漏区、以及在上述半导体衬底上形成的栅极的第二电子传导型场效应晶体管；以及与上述第二电子传导型场效应晶体管共有漏区，在上述半导体衬底上具有与上述第二电子传导型场效应晶体管共用化了的栅极的第二空穴传导型场效应晶体管，第二传输门，该第二传输门由与上述第二互补型场效应晶体管共有上述第二漏区的场效应晶体管构成，上述第一互补型场效应晶体管的共用栅极连接在上述第二漏区上，上述第二互补型场效应晶体管的共用栅极连接在上述第一漏区上。