[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置无效
| 申请号： | 200410011782.5 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1604293A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谷田一真;根本义彦;梅本光雄 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司;株式会社瑞萨科技;三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法及半导体装置，该制造方法包括：形成钝化膜的工序，上述钝化膜覆盖形成有电极的半导体基板的形成该电极的一面并形成有使规定的该电极露出的开口；在上述钝化膜的开口附近，形成由金属构成的扩散防止接头的工序；向上述半导体基板的形成上述扩散防止接头的一面供给金属材料而形成由该金属构成的晶种层的工序；形成抗蚀剂膜的工序，上述抗蚀剂膜覆盖上述晶种层并形成有使上述扩散防止接头上方的上述晶种层的规定区域露出的开口；向上述抗蚀剂膜的开口内供给金属材料而形成由该金属构成的突起电极的工序；在形成该突起电极的工序后，去除上述抗蚀剂膜的工序；在形成上述突起电极的工序后，去除上述晶种层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其中，包括：形成钝化膜的工序，上述钝化膜覆盖形成有电极的半导体基板的形成该电极的一面并形成有使规定的该电极露出的开口；在上述钝化膜的开口附近，形成由金属构成的扩散防止接头的工序；向上述半导体基板的形成上述扩散防止接头的一面供给金属材料而形成由该金属构成的晶种层的工序；形成抗蚀剂膜的工序，上述抗蚀剂膜覆盖上述晶种层并形成有使上述扩散防止接头上方的上述晶种层的规定区域露出的开口；向上述抗蚀剂膜的开口内供给金属材料而形成由该金属构成的突起电极的工序；在形成该突起电极的工序后，去除上述抗蚀剂膜的工序；在形成上述突起电极的工序后，去除上述晶种层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司;株式会社瑞萨科技;三洋电机株式会社，未经罗姆股份有限公司;株式会社瑞萨科技;三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410011782.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
